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    無錫市惠豐電子有限公司

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    陶瓷介質天線

    更新時間:07-27 15:59
    瀏覽量:263

    陶瓷介質天線不僅可以運用于GPS全球定位系統,也能夠運用于現代物聯網設備之間的通信。公司本著成就客戶,成就自身的經營理念,能夠為客戶提供專業的、具有針對性的產品設計(客戶提供產品要求)。

    根據客戶不同的需求,公司可以提供不同外形的天線,大體為片狀介質天線和棒狀介質天線。

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    產品說明
    公司現已成功開發多款介質天線;
    K25、K35、K37、K40、K45
    擁有各自不同的介電常數及工作頻率,廣泛應用于:
    GPS 陶瓷天線;
    北斗衛星天線;
    授時天線;
    10X10mm to 100X100mm 可用尺寸的陶瓷天線;
    客戶定制陶瓷天線產品.

    公司現有產品適用于30MHz到10GHz不等的工作頻率范圍,如果需要公司還可以根據客戶的要求開發相應低頻和更高頻的產品。



    產品信息
    惠豐電子目前已經定型了兩種尺寸的介質天線產品:

    產品A:
    尺寸:25mm*25mm
    介電常數:20
    工作頻率:1.57542GHz
    產品B:
    尺寸:20mm*20mm
    介電常數:37或40
    工作頻率:1.57542GHz

    產品C:
    尺寸:18mm*18mm
    介電常數:37或40
    工作頻率:1.57542GHz

    現有產品使用相同大小的振子,其大?。?.4mm*7.0mm,產品表面涂覆有銀層,根據不同的工作頻率需求,可以通過調節銀層覆蓋尺寸實現不同工作頻率的展現。



    產品性能

    K25K35K37K40K45
    介電常數2535374045
    Qf【GHz】12000080000640004000044000
    Q (測試頻率)20000
    (6G)
    20000
    (4G)
    16000
    (4G)
    13000
    (4G)
    11000
    (4G)
    密度(g/cm3)4.06.55.2-4.6
    顏色白色黑色淺綠棕色棕色 


    典型的GPS天線性能 (基于 on 1.2 x 1.2 inch [30 x 30 mm] FR-4 接地平面

    科目典型性能單位
    中間頻率1575.42MHz
    極化方式右旋園極化
    RHCP 增益 @ Zenith-1.5dBic
    RHCP 增益 @ 10o Elevation-1.5dBic
    軸比@ Zenith3dB
    駐波比VSWR1.6 Max
    阻抗50Ω
    天線尺寸20X20X4mm


    規格尺寸頻率阻抗材料
    HF1575D25AS25*25*41575.42MHz50K25
    HF1575D25BS25*25*21575.42MHz50K25
    HF1575D25AD25*25*41575.42MHz50K25
    HF1575D20AS20*20*41575.42MHz50K40
    HF1575D18AS18*18*41575.42MHz50K40
    HF1575D20BS20*20*21575.42MHz50K40
    HF1575D18BS18*18*21575.42MHz50K40



    介質天線的應用
    隨著新技術的發展,小型化的介質天線越來越多的應用于新興的產品之中,例如:
    衛星導航;
    RDIF物流領域;
    無線通信路由器;
    手機內置天線;
    通信基站;
    介質諧振器天線;
    雷達;
    衛星電視機頂盒;
    物聯網設備內置通信天線ect。

    公司在介質天線各領域都有了一定的技術積累,能夠為各方面需求的客戶提供不同要求的專業介質天線設計。

    介質天線的應用特點
    微波介質陶瓷(MWDC ) 具有介電常數高、介質損耗低、品質因數高、諧振頻率溫度系數小等特點,應用與介質諧振器天線后,介質諧振器介電常數選擇范圍很大(6~140),允許設計者靈活控制尺寸和帶寬;輻射效率>95%,形狀多樣,使天線設計具有更大的靈活性,饋電方式多,加工簡單,成本較低,便于集成設計。

    介質天線的技術指標 
    介電常數:6.1±0.2,10.0±0.2,14±0.2,26±0.2,35±0.2; 
    損耗角正切:<3×10-4;
    頻率溫度系數:∣τf∣≤10ppm/℃;
    抗彎強度:≥100MPa;
    電阻率:>1012Ω·cm;
    熱導率:≥3W/m·K,滿足微波器件高功率要求。 


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